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近日，国星光电开发的1200V／10A SiC－SBD（碳化硅－肖特基二极管）器件成功通过第三方权威检测机构可靠性验证，并获得AEC－Q101车规级认证。这标志着国星光电第三代半导体功率器件产品从工业领域向新能源汽车领域迈出坚实步伐。

一、提升性能，做实高品质产品

通过认证的国星光电SiC－SBD器件采用TO－247－2L封装形式，在长达1000小时的高温、高湿等恶劣环境下验证，仍能保持正常稳定的工作状态，可更好地适应复杂多变的车载应用环境，具备高度的可靠性、安全性和稳定性。

此外，相比传统的硅基二极管产品，SiC－SBD器件在高耐压、高导热、低损耗等性能方面表现更出色，并且拥有快速的恢复时间，可以提高开关速率，减小磁性元件和其它无源元件的尺寸，更节省空间与重量，可适配尺寸较小的终端产品，适用于新能源电动汽车的车载充电机、控制系统以及汽车充电桩电路等场景。

二、拓展应用，推进三代半“上车”

随着新一轮科技革命和产业变革加速演进，半导体新兴应用领域发展迅猛。第三代半导体作为国星光电前瞻布局的重要方向之一，在过去一年里，公司面向SiC（碳化硅）及GaN（氮化镓）开发的系列新产品已陆续问世，如应用于光伏逆变、储能、充电桩等场景的NSiC－KS系列产品；应用于太阳能发电、电网传输、风力发电等领域的NS62m功率模块；应用于照明及大功率驱动市场的GaN－IC器件等，已逐渐形成品类丰富、品质上乘的产品布局，并与多家知名厂商建立良好的合作关系。

此次通过认证的车规级SiC－SBD是国星光电布局车载应用推出的首款车载功率器件，此外，公司车规级SiC－MOSFET分立器件及all－SiC功率模块系列产品已同步在车规系列技术路线中布局，将为国星光电第三代半导体产品加快渗透新能源车载领域，推动公司高质量发展“加速跑”注入源源不断的新动能。